開發了顛覆性、大批量制備高質量氮化鋁薄膜模板專利技術
傳統硅基等半導體材料已經無法滿足當前電子器件的發展要求。氮化鋁作為第三代/第四代半導體材料的典型代表，具有超寬禁帶、高熱導率、高擊穿場強、高電子遷移率、耐腐蝕、耐輻射等優越物理化學性能，特別適合于制造射頻通信器件、光電子器件、電力電子器件等，是紫外LED、紫外探測器、紫外激光、高功率/高頻電子器件等最佳襯底材料，廣泛應用于環保、電子、無線通訊、印刷、生物、醫療、軍事等領域，如紫外凈化/滅菌（污水處理、飲用水消毒、空氣殺菌、表面殺菌、除臭等）、紫外固化、紫外催化、5G無線通信 SAW/BAW等器件、防偽檢測、高密度存儲、醫學光照治療、藥物研發及保密通信、紫外空間探測等領域。
奧趨光電利用自有開發的一系列獨有氮化鋁模板設備及工藝專利技術制備出具有世界領先水平的高質量、大尺寸氮化鋁模板。奧趨光電開發的氮化鋁模板大批量制備工藝和設備具有穩定性好、可重復性高等優點，且其表征測試結果優于歐美日等大部分競爭對手。目前，奧趨光電是全球首家具備大批量2英寸/4英寸氮化鋁模板制備能力的企業，2020年具備年產30萬片2英寸/4英寸高性能氮化鋁模板供應能力，以滿足UVC-LED、紫外探測器、5G無線通信器件等市場的爆發性需求。