400x255.jpg/爐臺(tái)400x255__400x255.jpg)
世界各國(guó)為生長(zhǎng)大尺寸氮化鋁單晶，近50年來在晶體生長(zhǎng)方法、生長(zhǎng)工藝等方面作出了長(zhǎng)期不懈努力，但研發(fā)進(jìn)展非常緩慢。其中，物理氣相沉積法被公認(rèn)為生長(zhǎng)塊狀氮化鋁單晶的唯一方法，該方法也是生長(zhǎng)大尺寸塊狀碳化硅單晶理想方法。盡管氮化鋁單晶和碳化硅單晶生長(zhǎng)的基礎(chǔ)研究同時(shí)起步于20世紀(jì)70年代，而碳化硅單晶生長(zhǎng)工藝進(jìn)展迅速，目前國(guó)際上已成功研發(fā)并計(jì)劃量產(chǎn)直徑8英寸（200mm）碳化硅晶圓，但當(dāng)前國(guó)際上有能力生長(zhǎng)出直徑1英寸（25.4mm）氮化鋁單晶的科研機(jī)構(gòu)及企業(yè)極其有限。由于氮化鋁單晶生長(zhǎng)溫度高、生長(zhǎng)條件非常苛刻，對(duì)氮化鋁單晶生長(zhǎng)的設(shè)備、熱場(chǎng)及其控制系統(tǒng)提出了前所未有的挑戰(zhàn)。因此，國(guó)務(wù)院、國(guó)家工信部將氮化鋁單晶生長(zhǎng)裝備列入《中國(guó)制造2025》綠皮書有待突破的關(guān)鍵國(guó)產(chǎn)化裝備......
應(yīng)諾貝爾物理獎(jiǎng)獲得者天野浩教授為會(huì)議主席的組委會(huì)邀請(qǐng)，奧趨光電技術(shù)( 杭州) 有限公司在日本橫濱4月23-25 日舉行的LED 工業(yè)應(yīng)用國(guó)際會(huì)議( LEDIA-2019) 上，推出了直徑60 mm 氮化鋁單晶及晶圓，該晶圓為迄今為止國(guó)內(nèi)外見諸報(bào)道的最大尺寸氮化鋁晶圓。檢測(cè)結(jié)果表明，晶片的拉曼半高寬僅為2.85cm-1，深紫外260-280 nm 波段下的吸收系數(shù)低至14-21 cm-1，關(guān)鍵性能指標(biāo)居全球領(lǐng)先水平。相關(guān)成果發(fā)表在權(quán)威學(xué)術(shù)期刊《Physica Status Solidi A》上，并作為該期刊封面進(jìn)行了特別展示。該成果標(biāo)志著中國(guó)在第三/四代半導(dǎo)體關(guān)鍵戰(zhàn)略新材料氮化鋁單晶領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，在此之前，美國(guó)在全球氮化鋁單晶及晶圓制造方面直徑最大可達(dá)2英寸（50.8 mm），長(zhǎng)期處于技術(shù)壟斷地位......
傳統(tǒng)硅基等半導(dǎo)體材料已經(jīng)無法滿足當(dāng)前電子器件的發(fā)展要求。氮化鋁作為第三代/第四代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有超寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子遷移率、耐腐蝕、耐輻射等優(yōu)越物理化學(xué)性能，特別適合于制造射頻通信器件、光電子器件、電力電子器件等，是紫外LED、紫外探測(cè)器、紫外激光、高功率/高頻電子器件等最佳襯底材料，廣泛應(yīng)用于環(huán)保、電子、無線通訊、印刷、生物、醫(yī)療、軍事等領(lǐng)域，如紫外凈化/滅菌（污水處理、飲用水消毒、空氣殺菌、表面殺菌、除臭等）、紫外固化、紫外催化、5G無線通信 SAW/BAW等器件、防偽檢測(cè)、高密度存儲(chǔ)、醫(yī)學(xué)光照治療、藥物研發(fā)及保密通信、紫外空間探測(cè)等領(lǐng)域......
通常，PVT法生長(zhǎng)氮化鋁單晶生長(zhǎng)溫度高達(dá)2000ºC - 2300ºC，且晶體生長(zhǎng)在密閉環(huán)境下進(jìn)行，單晶生長(zhǎng)周期長(zhǎng)、對(duì)溫度場(chǎng)的穩(wěn)定性及其控制系統(tǒng)精度提出了前所未有的挑戰(zhàn)。由于氮化鋁單晶生長(zhǎng)溫度高、生長(zhǎng)條件非常苛刻，通過實(shí)際實(shí)驗(yàn)來調(diào)整工藝參數(shù)獲取有限的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)極其困難且成本高昂，或具備不具備可行性。因此，利用數(shù)值模擬仿真手段，開展AlN晶體生長(zhǎng)過程的仿真研究已成為分析、優(yōu)化晶體生長(zhǎng)過程不可或缺的工具......