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新聞資訊

行業(yè) | UCSB等聯(lián)合團(tuán)隊(duì)采用組分漸變實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄低歐姆接觸電阻AlGaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管

為實(shí)現(xiàn)適用于高頻、高功率場(chǎng)景的超寬禁帶AlGaN晶體管，必須盡可能降低高遷移率導(dǎo)電溝道的接入電阻，以滿足高頻工作需求。AlGaN材料相對(duì)較低的電子親和能對(duì)其歐姆接觸的形成構(gòu)成嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。本研究報(bào)道了在極...

動(dòng)態(tài) | 奧趨光電榮獲Semiconductor Review“2026年亞洲最佳氮化鋁單晶襯底制造商”獎(jiǎng)

近日，國(guó)際知名行業(yè)媒體Semiconductor Review 公布了“2026年亞洲最佳氮化鋁單晶襯底制造商（Top AlN Single Crystal Wafer Substrate Manuf...

動(dòng)態(tài) | 奧趨光電亮相第二屆第四代半導(dǎo)體研討會(huì)

2026年3月18-19日，由浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心和半導(dǎo)體在線主辦的第二屆第四代半導(dǎo)體研討會(huì)在浙江杭州成功舉辦。奧趨光電技術(shù)（杭州）...

邀請(qǐng) | 奧趨光電與您相約第二屆第四代半導(dǎo)體研討會(huì)

2026年3月18-19日，由浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心和半導(dǎo)體在線主辦的第二屆第四代半導(dǎo)體研討會(huì)將在浙江杭州舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有...

奧趨光電祝您新春快樂！

奧趨光電祝您新春快樂，馬年大吉

2026-04
13

為實(shí)現(xiàn)適用于高頻、高功率場(chǎng)景的超寬禁帶AlGaN晶體管，必須盡可能降低高遷移率導(dǎo)電溝道的接入電阻，以滿足高頻工作需求。AlGaN材料相對(duì)較低的電子親和能對(duì)其歐姆接觸的形成構(gòu)成嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。本研究報(bào)道了在極化摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管（PolFET）中，面向Al?.??Ga?.??N溝道所制備的...

2026-04
01

近日，國(guó)際知名行業(yè)媒體Semiconductor Review 公布了“2026年亞洲最佳氮化鋁單晶襯底制造商（Top AlN Single Crystal Wafer Substrate Manufacturer in Asia 2026）”評(píng)選結(jié)果，奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公...

2026-03
23

2026年3月18-19日，由浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心和半導(dǎo)體在線主辦的第二屆第四代半導(dǎo)體研討會(huì)在浙江杭州成功舉辦。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸第四代半導(dǎo)體氮化鋁單晶襯底全套制程能...

2026-03
16

2026年3月18-19日，由浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心和半導(dǎo)體在線主辦的第二屆第四代半導(dǎo)體研討會(huì)將在浙江杭州舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸第四代半導(dǎo)體AlN單晶襯底全套制程能力...

2026-02
16

奧趨光電祝您新春快樂，馬年大吉

2026-02
09

2月4日，臨平區(qū)委書記周徐胤同志來訪奧趨光電，開展指導(dǎo)調(diào)研和服務(wù)工作，區(qū)委辦、臨平經(jīng)開區(qū)相關(guān)負(fù)責(zé)人等陪同。奧趨光電首席執(zhí)行官吳亮、綜合管理部總經(jīng)理陳鵬等進(jìn)行了熱情接待。

2026-04
01

在AlN）單晶襯底上制備了具有頂部漸變AlGaN接觸層的橫向AlN肖特基勢(shì)壘二極管（AlN基SBD）。其歐姆接觸表現(xiàn)出近乎線性的電學(xué)特性，接觸電阻率低至1.54 × 10?3 Ω·cm2。該器件展現(xiàn)出良好的整流特性：開關(guān)比高達(dá)10?–10?，理想因子在2.94至1.07之間，肖特...

2026-03
16

超寬禁帶（UWBG）AlGaN合金（Al組分 xAl > 0.50）因其固有的高臨界電場(chǎng)強(qiáng)度，以及由此產(chǎn)生的、優(yōu)于當(dāng)前GaN基高電子遷移率晶體管（HEMT）技術(shù)的約翰遜優(yōu)值（∝ Ecrit * vsat），正被研究用于下一代高頻（> 90 GHz）射頻晶體管。此外，與GaN相比，...

2026-03
02

美國(guó)Soctera公司與射頻巨頭Qorvo公司的研究人員展示了一種在射頻代工工廠中制造的高電子遷移率晶體管（HEMT），其氮化鎵（GaN）溝道層夾在超寬帶隙氮化鋁（AlN）頂部和背部勢(shì)壘/緩沖層之間。

2026-01
13

譯自原文Low Resistance Non-Alloyed Ohmic Contacts to High Al Composition n-type AlGaN 原文鏈接https://arxiv.org/abs/2512.08871v1, su...

2025-12
25

日本NTT成功開發(fā)全球首款用于后5G通信的AlN基高頻晶體管 – 拓展氮化鋁應(yīng)用領(lǐng)域：從功率轉(zhuǎn)換到無線通信

2025-12
15

氮化鋁（AlN）作為電力電子材料具有巨大潛力，其關(guān)鍵指標(biāo)——巴利加優(yōu)值（Baliga figure of merit）超過所有其他超寬禁帶半導(dǎo)體。然而，器件性能受限于與摻雜相關(guān)的困難，包括高電離能以及自補(bǔ)償缺陷的形成。