為實現適用于高頻、高功率場景的超寬禁帶AlGaN晶體管，必須盡可能降低高遷移率導電溝道的接入電阻，以滿足高頻工作需求。AlGaN材料相對較低的電子親和能對其歐姆接觸的形成構成嚴峻挑戰。本研究報道了在極...
近日，國際知名行業媒體Semiconductor Review 公布了“2026年亞洲最佳氮化鋁單晶襯底制造商（Top AlN Single Crystal Wafer Substrate Manuf...
2026年3月18-19日，由浙江大學杭州國際科創中心、硅及先進半導體材料全國重點實驗室、國家第三代半導體技術創新中心和半導體在線主辦的第二屆第四代半導體研討會在浙江杭州成功舉辦。奧趨光電技術（杭州）...
2026年3月18-19日，由浙江大學杭州國際科創中心、硅及先進半導體材料全國重點實驗室、國家第三代半導體技術創新中心和半導體在線主辦的第二屆第四代半導體研討會將在浙江杭州舉行。奧趨光電技術（杭州）有...
奧趨光電祝您新春快樂，馬年大吉
為實現適用于高頻、高功率場景的超寬禁帶AlGaN晶體管，必須盡可能降低高遷移率導電溝道的接入電阻，以滿足高頻工作需求。AlGaN材料相對較低的電子親和能對其歐姆接觸的形成構成嚴峻挑戰。本研究報道了在極化摻雜場效應晶體管（PolFET）中，面向Al?.??Ga?.??N溝道所制備的...
近日，國際知名行業媒體Semiconductor Review 公布了“2026年亞洲最佳氮化鋁單晶襯底制造商（Top AlN Single Crystal Wafer Substrate Manufacturer in Asia 2026）”評選結果，奧趨光電技術（杭州）有限公...
2026年3月18-19日，由浙江大學杭州國際科創中心、硅及先進半導體材料全國重點實驗室、國家第三代半導體技術創新中心和半導體在線主辦的第二屆第四代半導體研討會在浙江杭州成功舉辦。奧趨光電技術（杭州）有限公司作為全球極少數幾家具備高質量、大尺寸第四代半導體氮化鋁單晶襯底全套制程能...
2026年3月18-19日，由浙江大學杭州國際科創中心、硅及先進半導體材料全國重點實驗室、國家第三代半導體技術創新中心和半導體在線主辦的第二屆第四代半導體研討會將在浙江杭州舉行。奧趨光電技術（杭州）有限公司作為全球極少數幾家具備高質量、大尺寸第四代半導體AlN單晶襯底全套制程能力...
奧趨光電祝您新春快樂，馬年大吉
2月4日，臨平區委書記周徐胤同志來訪奧趨光電，開展指導調研和服務工作，區委辦、臨平經開區相關負責人等陪同。奧趨光電首席執行官吳亮、綜合管理部總經理陳鵬等進行了熱情接待。
在AlN）單晶襯底上制備了具有頂部漸變AlGaN接觸層的橫向AlN肖特基勢壘二極管（AlN基SBD）。其歐姆接觸表現出近乎線性的電學特性，接觸電阻率低至1.54 × 10?3 Ω·cm2。該器件展現出良好的整流特性：開關比高達10?–10?，理想因子在2.94至1.07之間，肖特...
超寬禁帶（UWBG）AlGaN合金（Al組分 xAl > 0.50）因其固有的高臨界電場強度，以及由此產生的、優于當前GaN基高電子遷移率晶體管（HEMT）技術的約翰遜優值（∝ Ecrit * vsat），正被研究用于下一代高頻（> 90 GHz）射頻晶體管。此外，與GaN相比，...
美國Soctera公司與射頻巨頭Qorvo公司的研究人員展示了一種在射頻代工工廠中制造的高電子遷移率晶體管（HEMT），其氮化鎵（GaN）溝道層夾在超寬帶隙氮化鋁（AlN）頂部和背部勢壘/緩沖層之間。
譯自原文Low Resistance Non-Alloyed Ohmic Contacts to High Al Composition n-type AlGaN 原文鏈接https://arxiv.org/abs/2512.08871v1, su...
日本NTT成功開發全球首款用于后5G通信的AlN基高頻晶體管 – 拓展氮化鋁應用領域：從功率轉換到無線通信
氮化鋁（AlN）作為電力電子材料具有巨大潛力，其關鍵指標——巴利加優值（Baliga figure of merit）超過所有其他超寬禁帶半導體。然而，器件性能受限于與摻雜相關的困難，包括高電離能以及自補償缺陷的形成。
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